基于GaN/κ-Ga?O?异质结的自供电紫外探测器在254 nm光照下表现优异光电性能：暗电流1.61×10??A，光电流-暗电流比2.78×103，响应度 ...

当下，氮化镓器件已然实现大规模部署，成为功率半导体产业里最受关注的分支之一。更高的开关频率、更小的器件体积、更高的能效与功率密度，让氮化镓正在重塑适配器、电源模块、服务器电源乃至车载电源的设计规范。然而，对一线工程师和产业观察者来说，氮化镓厂商众多、产品线复杂、技术路线各异，很难从零散的信息中看清各家厂商产品线路。

氮化镓材料定义：氮化镓主要是由人工合成的一种半导体材料，禁带宽度大于2.3eV，也称为宽禁带半导体材料。 氮化镓材料为第三代半导体材料的典型代表，是研制微电子器件、光电子器件的新型材料： 第一代半导体硅（Si）锗（Ge）：产业链成熟、成本低 ...

碳化硅(SiC)衬底已在电动汽车和一些工业应用中确立了自己的地位。然而，近来氮化镓(GaN)已成为许多重叠应用的有力选择。了解这两种衬底在大功率电路中的主要区别及其各自的制造考虑因素，或许能为这两种流行的复合半导体的未来带来启示。 宽禁带(WBG ...

在本文中，我们将重点关注如何验证GaN可靠性并重点介绍来自GaN器件的可靠性数据。 硅功率器件的可靠性通常遵循长期以来 ...

研究人员针对CO2-ODHP（氧化脱氢）反应中丙烯选择性低的问题，开发了5GaN/[Ga]MFI催化剂。通过调控分子筛Lewis/Br?nsted酸比例，在 ...