本刊编辑推荐：为解决高压射频LDMOS晶体管在功率应用中因自热效应(SH)引发的性能退化问题，研究人员开展了基于130nm BCD工艺的多指结构热管理特性研究。通过建立四阶热网络模型，首次在BSIM-BULK框架内实现了宽频域自热效应的精准表征，发现指状结构数量(NF ...
证券之星消息，根据企查查数据显示华大九天（301269）新获得一项发明专利授权，专利名为“BSIM-BULK模型建模方法、计算机存储介质、电子设备”，专利申请号为CN202111470471.5，授权日为2024年7月9日。 专利摘要：本申请实施例提供了一种BSIM‑BULK模型建模方法 ...
AUSTIN, Texas--(BUSINESS WIRE)--The Si2 Compact Model Coalition has released important updates to the popular BSIM-Bulk standard, a compact SPICE model developed by researchers at the University of ...
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